Южнокорейская компания Samsung Electronics начала поставки образцов новейшей высокопроизводительной памяти HBM4E ключевым клиентам, среди которых значатся Nvidia, AMD и Google. Этот шаг призван укрепить позиции южнокорейского производителя на быстрорастущем рынке оборудования для систем искусственного интеллекта и дата-центров. Речь идет о передовой 12-слойной версии памяти с высокой пропускной способностью (High Bandwidth Memory), которая выпускается с применением техпроцесса 1c DRAM шестого поколения класса 10 нм и базируется на логической пластине, изготовленной по 4-нм технологии. Новое поколение чипов демонстрирует выдающиеся технические характеристики. Пропускная способность HBM4E достигает 3,6 ТБ/с на стек при стабильной скорости передачи данных от 14 до 16 Гбит/с. Объем памяти производителю удалось увеличить более чем на 30% по сравнению с предшественниками, доведя его до 48 ГБ. В дальнейшем Samsung планирует выпустить конфигурации на 32 ГБ и 64 ГБ. За счет глубокой оптимизации архитектуры и передовых методов упаковки энергоэффективность памяти выросла на 16%, а тепловые характеристики улучшились более чем на 14%. В рабочем режиме HBM4E функционирует на 20% быстрее номинального поколения HBM4. Отправка тестовых образцов HBM4E стартовала всего через три месяца после рассылки первой ревизии HBM4. Такое форсирование сроков является частью стратегического плана Samsung по возвращению лидерства в полупроводниковом сегменте. Сейчас первую строчку уверенно удерживает SK Hynix с долей 57%, тогда как Samsung контролирует 22%, а Micron занимает 21% рынка. Аналитики считают, что быстрая квалификация HBM4E способна изменить текущий баланс сил, особенно на фоне высокой загрузки мощностей конкурентов вроде TSMC. Инвесторы позитивно оценили технологические успехи корпорации: акции Samsung выросли на 6,5% после новостей о начале поставок и заявлений ИИ-стартапа Anthropic о стратегическом партнерстве.