Samsung приступила к разработке памяти HBM5 с 2-нм базовыми кристаллами
Samsung Electronics уже ведёт разработку высокоскоростной памяти HBM5 и HBM5E, делая ставку на использование собственного 2-нм техпроцесса для базовых кристаллов. Об этом сообщают южнокорейские источники, подчёркивая, что компания намерена закрепить лидерство в поставках памяти нового поколения для систем искусственного интеллекта и ускорителей Nvidia.
В случае с HBM5 базовый кристалл для стека будет выпускаться по 2-нм технологии Samsung, тогда как чипы DRAM будут изготавливаться по шестому поколению 10-нм техпроцесса (1c) — тому же, что уже применяется в HBM4. Для HBM5E сохранится 2-нм базовый кристалл, но DRAM-память перейдёт на более продвинутый 10-нм техпроцесс 1d. Такой «шахматный» подход к обновлению технологий, когда сначала модернизируют базовый кристалл, а затем DRAM, позволяет компании снижать технологические риски и постепенно повышать плотность и энергоэффективность HBM.
На GTC 2026 в Калифорнии основатель Nvidia Дженсен Хуанг публично продемонстрировал доверие к Samsung, назвав HBM4 «удивительной» прямо на кремниевой пластине с новыми чипами. Samsung уже опередила конкурентов, начав поставки HBM4 для Nvidia и выпуская базовый кристалл для неё по 4-нм техпроцессу. Параллельно компания договорилась о контрактном производстве специализированных процессоров Groq 3 по 4-нм нормам, причём сотрудничество со стартапом Groq ведётся ещё с 2023 года.
По оценке Samsung, спрос на 4-нм линии будет расти за счёт производства базовых кристаллов HBM4 и чипов для ИИ-ускорителей, в то время как 2-нм технологии готовятся к выводу HBM5 и HBM5E. На фоне усиления конкуренции со стороны SK hynix и других поставщиков HBM компания рассчитывает использовать опыт более чем 30-летнего лидерства в DRAM и развитие передовых техпроцессов на уровне 3–2 нм, чтобы сохранить ключевые позиции на рынке памяти для искусственного интеллекта.
