Qualcomm, по информации из китайского сервиса Weibo, рассматривает внедрение технологии Heat Pass Block (HPB) от Samsung в будущие флагманские процессоры Snapdragon 8 Elite Gen 6 и 8 Elite Gen 6 Pro. Такой шаг нацелен на решение хронической проблемы перегрева топовых Snapdragon и стабилизацию производительности под длительной нагрузкой.
HPB впервые появился в чипсете Exynos 2600, который Samsung готовит для части линейки Galaxy S26. Суть решения в переработке компоновки: вместо размещения модулей DRAM поверх кристалла SoC память переносится рядом, а на сам кристалл устанавливается медный теплопередающий блок. Он напрямую соединяется с системой охлаждения смартфона, улучшая отвод тепла и повышая термическую стойкость до 16%, по данным источников.
Для Snapdragon 8 Elite Gen 6 это критично: Pro-версия, по слухам, тестируется с тактовой частотой производительных ядер до 5,00 ГГц при 2-нм техпроцессе TSMC. При таких частотах традиционные паровые камеры уже не справляются, а опыт Snapdragon 8 Elite Gen 5 показал, что гонка с Apple по производительности может сопровождаться ростом энергопотребления более чем на 60%. HPB в этом контексте становится не опцией, а необходимым аппаратным уровнем защиты от перегрева и троттлинга.
Пока не ясно, каким путём Qualcomm придёт к технологии HPB. Варианты включают заказ части 2-нм чипов на Samsung Foundry с доступом к фирменному решению, прямое лицензирование блока у Samsung для использования в кристаллах TSMC либо создание собственного аналога по тем же принципам. Ранее интерес к подобным тепловым модулям уже приписывали не только Qualcomm, но и Apple.
Ожидается, что Snapdragon 8 Elite Gen 6 будет выпускаться в двух версиях: стандартной с поддержкой LPDDR5X и UFS 5.0 и Pro-варианте с LPDDR6 и графикой Adreno 850. При этом именно сочетание 2-нм техпроцесса и HPB должно позволить Pro-модели первой стабильно удерживать частоту 5 ГГц в мобильном сегменте. Если слухи подтвердятся, будущие смартфоны, включая предполагаемую линейку Galaxy S27 на базе этих чипов, смогут дольше сохранять высокую скорость работы в играх и тяжёлых задачах без заметного нагрева корпуса и ускоренного износа батареи.