Samsung Electronics готовится к резкому наращиванию производства памяти следующего поколения для искусственного интеллекта. По данным корейского издания JoongAng Ilbo, компания официально приступит к массовому выпуску высокоскоростной памяти шестого поколения HBM4 в конце февраля 2026 года, планируя выйти на объёмы до 120 тысяч кремниевых пластин в месяц.
HBM4 станет ключевым элементом в архитектуре следующих ИИ-ускорителей Nvidia под кодовым названием Vera Rubin. Samsung уже прошла все этапы квалификационных испытаний, подтвердив соответствие строгим требованиям по производительности и энергопотреблению, и синхронизировала производственный график с циклом релиза новых чипов Nvidia для центров обработки данных и суперкомпьютеров.
Стандарт HBM4 (High Bandwidth Memory 4) ориентирован на высокопроизводительные вычисления и обучение больших языковых моделей. Он обеспечивает пропускную способность до 2 ТБ/с на один стек за счёт интерфейса шириной 2048 бит и скоростей до 8 Гбит/с, удваивая ключевые параметры по сравнению с HBM3. Количество каналов увеличено до 32, а ёмкость может достигать 48–64 ГБ при использовании 16-уровневого стека.
По оценкам разработчиков, HBM4 обеспечивает на 20–25% лучшую энергоэффективность относительно предыдущего поколения и позволяет повысить производительность AI-систем до 69% при одновременном снижении энергопотребления. Масштабирование выпуска HBM4 Samsung должно усилить позиции компании на рынке памяти для ИИ и ускорить внедрение более мощных и экономичных AI-ускорителей в дата-центрах по всему миру.