Samsung окончательно сворачивает выпуск 2D NAND и переоборудует мощности под память HBM4
Samsung в этом году официально прекращает производство флэш-памяти 2D NAND и направит освободившиеся мощности на выпуск высокоскоростной памяти HBM4. Речь идёт о перепрофилировании линии 12 на заводе в Хвасоне, где сейчас изготавливается только планарная NAND, уже фактически вытесненная более современной 3D NAND Flash.
Производственная мощность линии 12 составляет 80 000–100 000 12-дюймовых кремниевых пластин в месяц — это значительный объём для полупроводникового производства. После модернизации здесь начнётся выпуск DRAM 6-го поколения класса 10 нм, которая используется в стеке HBM4. По оценкам Samsung, совокупная мощность по DRAM, с учётом линий 3 и 4 в Пхёнтеке, во второй половине года достигнет порядка 200 000 пластин в месяц, что должно помочь компании удовлетворить стремительный рост спроса на память для систем искусственного интеллекта.
2D NAND Flash была впервые представлена в конце 1990-х годов и долгое время оставалась основой рынка флэш-памяти. Однако за последние годы производители накопителей и микросхем практически полностью сместили фокус на 3D NAND, предлагающую существенно большую ёмкость, лучшую надёжность и более высокую производительность за счёт многослойной структуры ячеек. В Samsung окончательное сворачивание 2D NAND запланировано на март, после чего компания полностью сосредоточится на 3D NAND и DRAM для передовых решений, включая HBM4.
Samsung, начавшая путь в 1938 году как торговая компания в Южной Корее, с начала 1980-х активно развивает полупроводниковое направление и сегодня входит в число лидеров мирового рынка микросхем. Перевод старых линий с устаревшей планарной NAND на выпуск передовой DRAM и HBM4 вписывается в стратегию компании по укреплению позиций в сегменте памяти для центров обработки данных и ИИ-инфраструктуры.
