ASML выводит EUV-литографию на 1000 Вт: производительность вырастет до 330 пластин в час

Нидерландская ASML официально подтвердила планы выпуска новой EUV-системы семейства Twinscan NXE с источником экстремального ультрафиолета мощностью 1000 Вт. Благодаря этому производительность установки должна вырасти до 330 кремниевых пластин в час против нынешних 220 у флагмана NXE:3800E, то есть примерно на 50%. Появление таких машин ожидается к 2030 году или позже.

Рост мощности источника более чем в полтора раза — от практических 600 Вт до 1000 Вт — напрямую сокращает время экспозиции и снижает себестоимость микросхем. При этом в ASML подчеркивают, что речь идет о стабильной работе на 1000 Вт в реальных условиях производства, а не о разовом лабораторном рекорде. Ведущий технолог компании Майкл Пёрвис заявляет, что уже сейчас просматривается четкий путь к 1500 Вт, и не видно фундаментальных ограничений для достижения 2000 Вт.

Современные EUV-сканеры ASML, включая модели NXE:3400C, NXE:3600D и NXE:3800E, генерируют излучение с длиной волны 13,5 нм, обстреливая микрокапли олова импульсами CO2-лазера. Для выхода на 1000 Вт компании пришлось радикально пересмотреть этот процесс: увеличить поток олова до примерно 100000 капель в секунду и использовать две последовательности лазерных импульсов вместо одной. Такой многоступенчатый «залп» позволяет эффективнее формировать оловянную плазму, излучающую EUV.

Рост мощности несет и новые инженерные вызовы. Увеличение количества олова повышает риск загрязнения пленок и оптики, поэтому ASML разрабатывает новые системы сбора и защиты от оловянных частиц. Параллельно создается проекционная оптика с повышенной пропускной способностью, уже применяемая в NXE:3800E и рассчитанная на дальнейший рост мощности до 1500 Вт и более 450 пластин в час. Индустрии также предстоит подготовить новые фоторезисты и пленки, устойчивые к более «жесткому» EUV-потоку.

Платформа Twinscan NXE используется для массового производства чипов по техпроцессам 7, 5, 3 и 2 нм и критически важна для TSMC, Intel и других лидеров рынка. Усиление возможностей ASML усиливает и геополитическую составляющую: США добиваются ограничения поставок передового EUV-оборудования в Китай, тогда как Пекин ускоряет собственные разработки. На этом фоне технологический задел ASML с перспективой источников 1500–2000 Вт закрепляет ее доминирование на рынке EUV-литографии к концу десятилетия.