Samsung Electronics намерена до конца нынешнего года завершить сертификацию чипов HBM4 под требования Nvidia и получить одобрение на массовые поставки. По данным южнокорейских СМИ, на которые ссылается TrendForce, образцы HBM4 уже направлены ключевым заказчикам, включая Nvidia, и компания рассчитывает оперативно перейти к серийному производству после формального согласования спецификаций.
HBM4 Samsung основана на передовой 1c DRAM шестого поколения с 10-нм техпроцессом, тогда как конкуренты SK hynix и Micron пока делают ставку на 1b DRAM. Такая архитектура призвана повысить пропускную способность и снизить энергопотребление, что критично для ИИ-ускорителей. По отраслевым оценкам, цена 12-слойной сборки HBM4 Samsung может достигать около $500 — примерно на 50% дороже HBM3E от SK hynix, однако дефицит высокоскоростной памяти вынуждает Nvidia вести переговоры даже на этих условиях.
При этом SK hynix уже масштабирует выпуск HBM4 в текущем квартале и, по прогнозам, сохранит роль основного поставщика HBM4 для Nvidia как минимум в ближайшей перспективе. Заметимых объёмов SK hynix планирует достигнуть к концу второго квартала следующего года. На фоне фокусировки SK hynix на Nvidia значимым клиентом для Samsung остаётся связка Google/Broadcom: во втором полугодии Samsung обеспечила более 60% поставок HBM для этих компаний и рассчитывает удержать доминирующие позиции в 2025 году.
Ранее Samsung столкнулась с перегревом HBM3E и несоответствием ряду требований Nvidia, что заставило компанию дорабатывать продукт и временно снижать цены почти на треть. Новейшие чипы DRAM класса 1α и переход к 1c DRAM позволили во многом решить проблему тепловыделения, и HBM3E Samsung постепенно возвращает доверие клиентов. HBM3E для Nvidia была сертифицирована в конце сентября, но стратегическим заказчиком для этого поколения памяти остаётся связка Google/Broadcom.
Одновременно Samsung готовит более продвинутые HBM4-решения: по данным TheElec, новый чип с переработанной стековой архитектурой и интерфейсом должен обеспечить до 3,3 ТБ/с пропускной способности против 2,4 ТБ/с у первого варианта HBM4 объёмом 36 ГБ. Его публичный анонс ожидается на конференции ISSCC в феврале 2026 года в Сан-Франциско. На фоне роста цен на DRAM и HBM и увеличения спроса со стороны рынка ИИ Samsung, один из крупнейших производителей полупроводников в мире, рассчитывает за счёт HBM4 сократить отставание от SK hynix и усилить свои позиции в сегменте высокоскоростной памяти.