Резкий рост спроса на ИИ‑ускорители спровоцировал заметное подорожание высокопроизводительной памяти HBM3E. По данным южнокорейского издания SEdaily, Samsung и SK Hynix повысили цены на свои чипы примерно на 50%. При обновлении контрактов действующим клиентам выставляются расценки в полтора раза выше прошлогодних, а новым заказчикам приходится платить еще больше, чтобы получить доступ к дефицитным поставкам.
Если ранее один 12‑слойный стек HBM3E обходился примерно в $300, то сейчас его цена достигает $500. Таким образом, высокоскоростная память становится одним из ключевых драйверов удорожания серверных платформ и систем для генеративного ИИ, где HBM используется в связке с топовыми GPU и специализированными ускорителями.
Дефицит усугубляется ограниченными производственными мощностями. Samsung пытается переоборудовать линии выпуска NAND‑флеш под производство DRAM, однако быстро нарастить объемы не получается. SK Hynix рассчитывает существенно увеличить отгрузки только во второй половине следующего года после запуска нового завода. Аналитики ожидают, что тенденция к удорожанию HBM и DRAM сохранится как минимум до 2026 года.
HBM3E относится к пятому поколению высокопроизводительной памяти и развивает идеи стандарта HBM3. Она обеспечивает скорость передачи данных до 8 Гбит/с на контакт, что примерно на 25% выше, чем у предшествующей версии, и пропускную способность до 1 ТБ/с на один стек памяти. Объем отдельных чипов достигает 48 ГБ, а улучшенная конструкция повышает эффективность теплоотвода примерно на 10% и сохраняет обратную совместимость с существующими решениями на базе HBM3. Благодаря этому HBM3E стала ключевой технологией для систем искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений, где узким местом все чаще оказывается именно подсистема памяти.