Samsung GDDR7 с эффективной частотой 40 ГГц удостоена президентской награды в Южной Корее
На Корейском технологическом фестивале в Сеуле чип видеопамяти Samsung GDDR7 объёмом 3 ГБ с эффективной частотой 40 ГГц получил престижную президентскую награду. Эта GDDR7 на сегодняшний день считается самой быстрой из публично анонсированных решений такого типа и выделяется на фоне уже представленных чипов для современных видеокарт.
Для сравнения, у ожидаемых видеокарт серии GeForce RTX 50 используются микросхемы памяти объёмом 2 ГБ, работающие на частоте порядка 28–30 ГГц. Новый чип Samsung значительно опережает их по пропускной способности, однако сроки его коммерческого применения остаются неясными. Аналитики не исключают, что в итоге столь быстрая GDDR7 может дебютировать уже в поколении условных RTX 60, если производители графических процессоров решат задействовать топовую конфигурацию.
Ранее сообщалось, что 3-гигабайтные микросхемы памяти могут получить и видеокарты линейки RTX 50 Super, которые ожидаются в 2026 году, хотя их выход пока не гарантирован. При этом эксперты полагают, что таким моделям, скорее всего, достанутся более «умеренные» варианты GDDR7: Samsung уже предлагает решения на 32–36 ГГц, а сопоставимые по классу разработки есть и у SK Hynix. Поэтому 40-гигагерцовый чип, удостоенный награды, пока выглядит как демонстрация технологического лидерства компании.
Для Samsung эта президентская награда стала уже 12-й по счёту — ни одна другая компания в Южной Корее не имеет большего числа подобных отличий. В 2022 году премию получила 14-нм память DDR5, а в 2017-м — 64-слойная флеш-память V-NAND. Подразделение Samsung Device Solutions традиционно выступает одним из драйверов прогресса в области DRAM, GDDR, HBM и V-NAND, сочетая собственную разработку микросхем с их массовым производством на передовых техпроцессах вплоть до 2 нм и контрактным выпуском чипов для сторонних заказчиков.
