SK hynix намерена задействовать все доступные ресурсы для увеличения объёмов производства DRAM на фоне стремительного роста спроса на оперативную и высокопропускную память. По данным издания Chosun Biz, производственные квоты на 2026 год уже полностью распределены по предварительным заказам, однако компания не собирается мириться с возможным дефицитом и запускает масштабную программу модернизации.
В 2025 году SK hynix обновит линии по выпуску памяти на всех своих ключевых предприятиях и будет искать дополнительные площади под производство DRAM. Фабрика M15x станет опорной площадкой для выпуска HBM, и именно её мощности расширяются в приоритетном порядке. На заводе M14 пройдёт модернизация линий DDR-памяти, а на предприятиях M16, M8 и M10 компания сосредоточится на оптимизации использования существующих площадей с установкой дополнительного оборудования для выпуска DRAM.
Аналитики прогнозируют, что в следующем году совокупный спрос на DRAM, включая HBM, вырастет примерно на 18%. В ответ SK hynix ускоряет ранее намеченный план по увеличению переработки кремниевых пластин с 70000 до 100000 штук в месяц. По данным отраслевых источников, компания рассматривает и частичное перевооружение линий по производству NAND, чтобы перенаправить часть мощностей под выпуск DRAM. Вклад в рост производительности также должно внести шестое поколение 10-нм техпроцесса.
SK hynix, основанная в 1983 году в Республике Корея и входящая с 2012 года в состав конгломерата SK Group, сегодня относится к крупнейшим мировым игрокам на рынке полупроводниковой памяти. Компания специализируется на DRAM, NAND и твердотельных накопителях, а к 2025 году заняла лидирующие позиции в сегменте высокопропускной памяти, который становится критически важным для центров обработки данных и систем с искусственным интеллектом.