Samsung создаёт единое подразделение по разработке памяти для ускорения HBM, DRAM и NAND
Samsung проводит крупную реорганизацию полупроводникового бизнеса и формирует новое единое подразделение по разработке памяти в составе направления Device Solutions (DS). В него войдут команды, отвечающие за создание чипов DRAM, NAND и высокоскоростной HBM. Ранее этими направлениями управляли отдельно, что усложняло координацию и замедляло вывод новых решений на рынок.
Новое подразделение возглавит Хван Сан Чжун, сыгравший ключевую роль в развитии технологии Samsung HBM. Команда разработчиков HBM будет интегрирована в блок DRAM, что должно усилить внутреннее сотрудничество и ускорить внедрение инноваций в области памяти для искусственного интеллекта и дата-центров. По данным отраслевых источников, реорганизация отражает уверенность Samsung в перспективах рынка после поставок чипов HBM3E для Nvidia.
Параллельно Samsung активнее продвигает инициативу AI factory — использование технологий искусственного интеллекта для оптимизации проектирования и производства чипов. В рамках этого курса компания создаёт центр Digital Twin, предназначенный для виртуального моделирования и отладки производственных процессов. Завершить перестройку структуры планируется в ближайшее время, а уже в следующем месяце на совещании по глобальной стратегии обсудят бизнес-планы полупроводникового направления на год вперёд.
На фоне реорганизации Samsung продолжает демонстрировать технический задел в памяти следующего поколения. Инсайдеры ожидают анонс LPDDR6 на CES в начале следующего года, а в сегменте NAND компания разрабатывает принципиально новый тип флеш-памяти, позволяющий снизить энергопотребление до 96% за счёт блокировки токов ниже порогового напряжения и уменьшения утечек в последовательных цепочках ячеек. С учётом роста спроса на энергоэффективную память для ИИ, смартфонов и мобильной электроники, ставка на консолидацию разработки и ИИ-оптимизацию производства должна укрепить позиции Samsung на мировом рынке полупроводников.
