Samsung показала ультраэкономичную NAND-память на базе FeFET с снижением энергопотребления на 96%
Samsung и группа исследователей из Австралии представили новый тип NAND‑флеш памяти на базе сегнетоэлектрических полевых транзисторов (FeFET), который, по их данным, снижает энергопотребление операций записи и стирания на 96% по сравнению с классической 3D NAND. Работа описана в статье «Ferroelectric Transistor for Low-Power NAND Flash Memory», опубликованной в журнале Nature, и позиционируется как основа для энергоэффективной флеш‑памяти следующего поколения.
Ключевое отличие разработки — отказ от плавающих затворов в пользу FeFET с диэлектриком из HfZrO (легированный цирконием оксид гафния) и каналом из оксидного полупроводника, например IGZO. Такая архитектура позволила снизить рабочие напряжения при обращении к цепочке ячеек в строке с типичных для NAND 15–20 В до 4–6 В, резко сократив энергопотребление и токи утечки. При этом сохраняется высокая плотность хранения за счет вертикальной 3D-компоновки с длиной канала всего 25 нм без деградации характеристик.
По данным Samsung, экспериментальные чипы поддерживают многоуровневое хранение до 5 бит на ячейку (32 уровня заряда), обеспечивают срок сохранения данных более 10 лет и выдерживают свыше 10⁵ циклов перезаписи. Заявляется совместимость новой памяти с существующими CMOS‑процессами, что упрощает потенциальную интеграцию технологии в будущие коммерческие продукты. Сейчас разработка находится на исследовательской стадии, сроки вывода на рынок не раскрываются.
Ожидается, что FeFET‑NAND найдет применение в смартфонах, ноутбуках, носимой электронике, устройствах интернета вещей, а также в энергоэффективных дата‑центрах и системах искусственного интеллекта, где потребление энергии памятью становится одним из ключевых ограничений. Для Samsung, которая уже много лет входит в число лидеров рынка DRAM и NAND и активно инвестирует в ИИ‑инфраструктуру, подобные инновации помогают удерживать технологическое преимущество на фоне растущего мирового спроса на высокоплотные и экономичные решения хранения данных.
