SK hynix анонсировала петабайтные SSD и план достижения 100 млн IOPS после перехода на PCIe 6.0

На проходящем в Сан-Хосе форуме 2025 Global Summit компания SK hynix раскрыла собственную стратегию AI NAND — линейку твердотельных накопителей, рассчитанных на работу с большими языковыми моделями и дата-центрами искусственного интеллекта. Корейский производитель разделил предложение на три направления: AIN P для максимальной производительности, AIN B для энергоэффективной памяти HBF и AIN D для сверхвместимых, но экономичных систем хранения.

SK hynix анонсировала петабайтные SSD и план достижения 100 млн IOPS после перехода на PCIe 6.0

Главный акцент сделан на двух крайних полюсах. В сегменте AIN D SK hynix намерена вывести на рынок SSD ёмкостью порядка петабайта за счёт применения QLC-памяти высокой плотности и оптимизированного контроллера с расширенными алгоритмами коррекции ошибок. Такие устройства призваны закрыть потребность ИИ-кластеров в «холодном» хранилище моделей и датасетов без взрывного роста стоимости владения.

Для задач активного обучения и инференса предлагается серия AIN P. Уже к 2027 году производитель рассчитывает довести производительность до 50 млн операций ввода-вывода в секунду, а после перехода серверной экосистемы на шину PCIe 6.0 — пробить планку в 100 млн IOPS. В пересчёте на пропускную способность это потребует как минимум восьми линий PCIe 6.0, однако SK hynix утверждает, что разработала контроллер, способный масштабировать нагрузку без узких мест и при этом удерживать энергопотребление на уровне текущих high-end решений.

Помимо чистых цифр внимания заслуживают и дополнительные улучшения: поддержка вычислений рядом с данными (CXL + KVS), сниженные задержки за счёт усовершенствованной архитектуры плоскостей NAND и продвинутая телеметрия, облегчающая управление парком накопителей. Всё это должно ускорить обработку массивов логов, видео и аналитики «на границе», где традиционные серверы упираются в пропускную способность сети.

Выход коммерческих образцов ожидается постепенно: первые терабайтные прототипы AIN D появятся в лабораториях партнёров уже в 2026-м, массовое производство запланировано на 2027 год, синхронно с релизом PCIe 6.0-совместимых платформ. Таким образом SK hynix укрепляет позиции на рынке флэш-памяти, где по итогам 2025 года компания уже контролирует порядка трети мировых поставок DRAM и входит в тройку лидеров NAND.

Тоже интересно