Samsung представила модули HBM4 и подтвердила готовность к их серийному выпуску
На выставке SEDEX 2025 в Сеуле компания Samsung Electronics впервые показала полноценные образцы высокоскоростной памяти HBM4 и сообщила о завершении стадии доводки процесса. По словам представителей корпорации, уровень выхода годных кристаллов уже достиг 90%, чего достаточно для перехода к массовому производству в интересах заказчиков центров обработки данных и систем искусственного интеллекта.
HBM4 строится на 2048-битном интерфейсе и способна передавать данные со скоростью свыше 11 Гбит/с на контакт, обеспечивая суммарную пропускную способность более 1 ТБ/с. При этом энергопотребление, по расчётам инженеров, на 40–50% ниже, чем у прошлогодних решений HBM3, а максимальная ёмкость стека достигает 32 ГБ при 16 слоях DRAM. Такой набор характеристик делает новинку важным элементом для ускорителей NVIDIA, систем машинного обучения и других ресурсов, чувствительных к пропускной способности памяти.
В Samsung подчёркивают, что учли прошлые ошибки, когда задержки в освоении техпроцесса стоили компании доли на рынке DRAM. Теперь корейский гигант намерен опередить конкурентов SK Hynix и Micron не только скоростью, но и объёмами поставок, предлагая крупным клиентам более выгодные коммерческие условия. По данным DigiTimes, переговоры с несколькими заказчиками уже завершены, а первые серийные партии HBM4 покинут конвейер в начале 2026 года.
Аналитики ожидают, что выход HBM4 приведёт к обострению ценовой конкуренции и ускорит переход поставщиков чипов на новые нормы литографии. Спрос на память с высокой пропускной способностью будет расти как минимум до конца десятилетия, поскольку разработчики ИИ-акселераторов и графических процессоров планируют кратно увеличивать количество вычислительных ядер.
Справка: технология High Bandwidth Memory появилась в 2015 году, а каждое новое поколение удваивает пропускную способность при схожих габаритах. HBM4 достигает этого за счёт увеличения числа независимых каналов до 32 и применения более тонких межслойных межсоединений TSV. В компактном корпусе формата 2.5D такая память позволяет существенно упростить трассировку печатных плат и снизить тепловыделение силовых узлов современных вычислительных систем.
