Samsung отгрузила первые образцы памяти HBM4 и намерена запустить серийное производство в 2026-м
Корпорация Samsung сообщила в финансовой отчётности за третий квартал 2025 года, что уже направила ключевым заказчикам тестовые партии памяти HBM4. Коммерческий выпуск новых чипов компания планирует развернуть в 2026-м, одновременно нарастив выпуск 2-нм изделий по технологии GAA на строящейся фабрике в Тейлоре (штат Техас).
HBM4 позиционируется как следующий этап развития высокопроизводительной многослойной памяти: в стеке до 12 кристаллов DRAM соединены сквозными кремниевыми переходами TSV, а опциональный базовый кристалл может нести логику для ускорения работы с данными. По данным Samsung, экспериментальные микросхемы уже демонстрируют скорость до 11 Гбит/с на вывод, что при 2048-битном интерфейсе даст свыше 2,8 ТБ/с — больше, чем заложено в спецификации JEDEC для HBM4 (8 Гбит/с и 2 ТБ/с соответственно). Аналогичные показатели ранее раскрывала Micron, поэтому отраслевые аналитики ожидают, что Samsung не уступит конкурентам в пропускной способности, чтобы удовлетворить запросы NVIDIA, AMD и других производителей ИИ-ускорителей.
Параллельно уже налажен серийный выпуск HBM3E, который, по словам Samsung, активно раскупается центрами обработки данных и поставщиками облачных сервисов. Высокие продажи HBM-чипов и серверных SSD помогли гиганту увеличить квартальную выручку до 86,1 трлн вон (+15,4% год к году).
В 2026 году Samsung намерена обеспечить «стабильные поставки» как HBM4, так и 2-нм логики, расширив ассортимент за счёт модулей DDR5 ёмкостью 128 ГБ, LPDDR5X и GDDR7 на 24 Гбит. Компания рассчитывает, что сочетание передовой памяти и новейшего техпроцесса станет ключом к удержанию доли на растущем рынке решений для генеративного ИИ.
Для справки: HBM4 удваивает пропускную способность относительно HBM3 за счёт расширения интерфейса до 2048 бит и увеличения числа независимых каналов до 32. Стандарт поддерживает конфигурации от четырёх до шестнадцати слоёв суммарной ёмкостью 24-64 ГБ. Первой о выпуске HBM4 в 2025-м объявила SK Hynix, поэтому конкуренция между южнокорейскими и американскими поставщиками памяти обостряется именно накануне массового перехода индустрии к четвёртому поколению HBM.
