Ассоциация JEDEC объявила о выходе на финишную прямую со спецификацией Universal Flash Storage 5.0. Новое поколение встроенной флеш-памяти обещает последовательную скорость чтения и записи до 10,8 ГБ/с, что более чем вдвое превышает паспортные показатели UFS 4.x. Такой рывок призван покрыть растущие потребности смартфонов, гарнитур VR, автомобильной электроники и особенно приложений искусственного интеллекта, которые активно обрабатывают большие объёмы данных локально.
Для достижения рекордной отдачи UFS 5.0 опирается на готовящиеся к публикации интерфейсы MIPI M-PHY 6.0 и UniPro 3.0. Новый режим High-Speed Gear 6 поднимает пропускную способность линии до 46,6 Гбит/с; при двух линиях контроллер получает те самые 10,8 ГБ/с. При этом JEDEC сохранила обратную совместимость: накопители UFS 5.0 смогут работать в устройствах с шинным окружением UFS 4.x без переделки аппаратной части.
Помимо ускорения выросла надёжность и безопасность данных. Стандарт предусматривает встроенную эквализацию канала для лучшей целостности сигнала, раздельную шину питания, уменьшающую взаимные помехи между PHY и микросхемами памяти, а также Inline Hashing, повышающий устойчивость к атакам на содержимое хранилища. Производители смогут внедрять сложные схемы шифрования и мультизонной памяти без штрафов по пропускной способности.
Последней официально опубликованной версией остаётся JESD220G UFS 4.1 (декабрь 2024 года), однако переход на 5-е поколение уже запланирован в дорожных картах ведущих игроков рынка. По оценке отрасли, первые коммерческие гаджеты с UFS 5.0 появятся в 2026-м: ожидается, что Samsung, Qualcomm и MediaTek продемонстрируют прототипы сразу после утверждения финального релиза спецификации. Для конечных пользователей это означает загрузку ОС за доли секунды, быстрый рендеринг 8K-видео и автономную работу генеративных моделей — без существенного роста энергопотребления.
Стандарт UFS развивается с 2011 года и уже вытеснил eMMC в большинстве сегментов. Выход UFS 5.0 закрепит за ним статус главного решения для высокопроизводительной памяти в мобильной электронике на ближайшие годы.