Intel сообщила о начале серийного выпуска полупроводников по техпроцессу 18A на новых линиях Fab 52 и Fab 62 в Окотильо, штат Аризона. Первая партия пластин уже отправлена американским заказчикам в третьем квартале, а собственные процессоры компании появятся в четвёртом. Тем самым Intel стала первым производителем в США, вышедшим на 2-нм класс массового производства.
Ключевым продуктом на 18A станет мобильное семейство Panther Lake. Чипы покажут 9 октября на мероприятии Intel Tech Tour, после чего они лягут в основу следующих поколений ноутбуков под брендом Core Ultra. Следом, в первой половине 2026 года, тот же техпроцесс получат серверные решения Clearwater Forest, ориентированные на облака и ИИ-центры обработки данных.
18A объединяет две ключевые инновации: архитектуру RibbonFET с транзисторами типа GAA и технологию PowerVia, которая подаёт питание с обратной стороны кристалла. По расчётам Intel, это обеспечивает до 15% прироста энергоэффективности и около 30% роста плотности транзисторов по сравнению с нынешними 20A-чипами, открывая пространство для более мощных и экономичных систем.
Проект фабрик в Аризоне стартовал в 2021 году и потребовал 32 млрд долларов инвестиций. К концу 2025 года Fab 52 должна выйти на 1–5 тыс. пластин в месяц, в 2026-м — до 15 тыс., а в долгосрочной перспективе — до 30 тыс. пластин. Такой объём делает площадку одним из крупнейших узлов цепочки поставок микросхем в США.
Параллельно Intel внедряет 3D-упаковку Foveros Direct и продолжает развивать Foveros и EMIB, что должно ускорить выпуск чиплетных решений и снизить себестоимость по сравнению с альтернативами вроде CoWoS. Эти шаги призваны укрепить позиции компании в конкурентной борьбе с TSMC и Samsung, особенно на фоне растущего спроса на энергоэффективные процессоры для генеративного ИИ и дата-центров.
Основанная в 1968 году корпорация Intel остаётся одним из крупнейших мировых производителей микропроцессоров. Запуск 18A на американской земле не только возвращает компании технологическое лидерство, но и вписывается в курс Вашингтона на повышение автономности национальной полупроводниковой индустрии.