Китайская ChangXin Memory Technologies (CXMT) отправила Huawei первые инженерные партии высокоскоростной памяти HBM3, необходимой для создания ускорителей искусственного интеллекта. Источники DigiTimes утверждают, что речь идёт о кристаллах, выпущенных по 16-нанометровому техпроцессу, а запуск массового производства запланирован до конца 2024 года. Для китайского рынка это знаменует первый по-настоящему осязаемый шаг к снижению зависимости от поставок SK hynix, Samsung и Micron, ограниченных экспортным контролем США.
По оценкам отрасли, CXMT сегодня отстаёт от южнокорейских лидеров примерно на три–четыре года: SK hynix уже поставляет HBM3E, а к 2026-му перейдёт на HBM4. Тем не менее собственные фабрики CXMT в Хэфэе способны обрабатывать 230-280 тыс. 12-дюймовых пластин ежемесячно, что позволяет быстро нарастить объёмы, если внутренний спрос подтвердит экономическую целесообразность. На тех же линиях компания недавно начала серийный выпуск модулей DDR5 с выходом годной продукции около 80%.
Для Huawei локальная HBM3 критична: компания разрабатывает ИИ-ускорители Ascend и системы Kunpeng, требующие широкой шины памяти с пропускной способностью свыше 800 Гбайт/с. До сих пор дефицит HBM, а не литография, оставался главным узким местом — санкции не запрещают её ввоз полностью, но значительно осложняют логистику. Появление китайского поставщика пусть и на предыдущем поколении стандарта позволяет планировать выпуск чипов без оглядки на экспортные лицензии и валютные колебания. CXMT, в свою очередь, рассчитывает освоить HBM3E к 2027 году, а в 2026-м выйти на Шанхайскую биржу со стоимости до 300 млрд юаней, что должно обеспечить финансирование дальнейшей гонки с мировыми лидерами.