Южнокорейская SK Hynix сообщила, что на её фабрике M16 в Ичхоне начал работать сканер ASML TwinScan EXE:5200B — первое в мире промышленное решение High-NA EUV с числовой апертурой 0,55, доступное не в лаборатории, а в реальном производстве. Таким образом компания опередила как контрактного гиганта TSMC, так и основного конкурента Samsung, ограничившегося пока установкой более ранней модели EXE:5000 для экспериментов.
EXE:5200B позволяет проецировать узоры с разрешением около 8 нм, формируя элементы на кристалле в 1,7 раза меньше и обеспечивая плотность транзисторов в 2,9 раза выше, чем у нынешних систем EUV с апертурой 0,33. Контраст изображения вырос на 40%, а производительность превышает 200 пластин в час, что делает аппарат пригодным для серийного выпуска не только логики, но и DRAM.
В SK Hynix рассчитывают, что переход на High-NA EUV упростит технологическую цепочку: число экспозиций сократится, а себестоимость передовых микросхем снизится. Компания уже активно внедряет шесть EUV-слоёв в массовых чипах DDR5 и ориентируется на следующие поколения HBM и LPDDR, где высокое разрешение критично для роста ёмкости и пропускной способности.
На фоне восстановления рынка памяти и бурного спроса на решения для искусственного интеллекта новый сканер должен укрепить позиции компании в премиальном сегменте. Samsung, стремящаяся выйти на 1,4-нм техпроцесс к 2027 году, пока не определилась, будет ли ставка сделана именно на High-NA EUV, однако для DRAM корейский гигант торопиться не намерен.
Технология High-NA EUV считается следующей вехой литографии: увеличение апертуры с 0,33 до 0,55 даёт резкий скачок по разрешению без усложнения масок. Для отрасли памяти это открывает возможность уменьшать ячейку хранения заряда без многоступенчатых обходных манёвров, сохраняя высокий выход годных кристаллов. Первая промышленная установка у SK Hynix означает, что эра High-NA EUV в DRAM стартовала не в теории, а на реальном конвейере.