Samsung перенесла массовый выпуск 280-слойной V9 QLC NAND минимум на 2026 год
Samsung вынуждена отложить запуск массового производства 280-слойной памяти V9 QLC NAND до первой половины 2026 года. По данным ZDNet, ранние партии чипов оказались уязвимы к конструктивным ошибкам, что привело к падению скоростей чтения и записи и сделало продукт неготовым для коммерческого рынка. Задержка ставит под удар позиции компании в быстро растущем сегменте высокоёмких накопителей, востребованных центрами обработки данных и сервисами искусственного интеллекта.
Технология V9 изначально стартовала в апреле 2024-го с выпуском TLC-чипов ёмкостью 1 Тбит, а уже в сентябре Samsung перешла к более плотным четырёхуровневым ячейкам. Однако именно переход на QLC вскрыл слабые места новой архитектуры. Пока инженеры дорабатывают дизайн, линейка QLC компании остаётся на уровне V7, а 8-е поколение так и не вышло.
Пауза играет на руку конкурентам. SK hynix летом объявила о запуске серийных 321-слойных чипов QLC NAND объёмом 2 Тбит: интерфейс у них вдвое быстрее, запись ускорена на 56%, чтение на 18%, а энергопотребление при записи снижено на 23%. Японская Kioxia в феврале показала 332-слойную 3D NAND, близкую к серийному этапу. На этом фоне Samsung ограничивается демонстрацией будущей V10 TLC с более чем 400 слоями без названных сроков выпуска.
Рынок тем временем расширяется: накопители ёмкостью 8–16 Тбайт становятся стандартом в серверах генеративного ИИ, где каждая сэкономленная ватт-час и каждый мегабайт пропускной способности напрямую влияют на стоимость владения инфраструктурой. Производителям NAND приходится одновременно увеличивать плотность записи и сократить энергопотребление, что делает сложные QLC-решения критически важными.
Samsung Electronics развивает память ещё с середины 1970-х, когда компания приобрела Hankook Semiconductor. За десятилетия корейский гигант закрепился как крупнейший поставщик DRAM и NAND и одним из первых освоил передовые литографические нормы. Однако текущие сложности с V9 QLC показывают, что даже признанным лидерам приходится бороться за каждое поколение технологии, чтобы сохранять конкурентоспособность на насыщенном рынке флеш-памяти.
