X

Micron привлекла TSMC к выпуску кастомизируемой памяти HBM4E – массовое производство намечено на 2027 год

Micron подтвердила, что базовые логические кристаллы для памяти следующего поколения HBM4E будет изготавливать TSMC; старт серийного выпуска ожидается в 2027-м. О сделке компания сообщила во время объявления результатов четвёртого финансового квартала, подчеркнув, что речь идёт как о стандартных, так и о полностью кастомных вариантах логики для специфических задач ИИ.

Смещение логической части HBM4E на мощные литейные линии TSMC делает память полунастраиваемой: заказчики смогут добавлять в подложку дополнительную SRAM, специализированные блоки сжатия или оптимизированные маршруты сигналов. Тем самым HBM4E превращается из универсального решения в инструмент тонкой подгонки под графические процессоры и ускорители машинного обучения, где критична каждая единица пропускной способности и ватт.

Работы ведутся на фоне впечатляющих успехов текущего поколения. Micron уже поставляет образцы HBM4 с скоростью свыше 11 Гбит/с на контакт и совокупной полосой более 2,8 ТБ/с при 2048-битной шине, а объёмы HBM3E на 2026 год практически распроданы. Конкуренты тоже не стоят на месте: SK hynix в 2025-м выведет 12-слойные стеки HBM4, заявляя 10 GT/s. Но именно возможность Micron предложить гибкую логику через TSMC должна стать главным отличием версии HBM4E.

Тайминг совпадает с планами крупных игроков рынка ИИ. В 2026 году Nvidia представит GPU Rubin на базе HBM4, а в 2027-м ожидается Rubin Ultra уже с HBM4E и поддержкой до 1 ТБ памяти на ускоритель. Партнёрство Micron и TSMC призвано обеспечить соответствующие объёмы и характеристики. Аналогичным путём идёт AMD: линейка Instinct MI400 переходит на HBM4, а её преемники будут строиться вокруг HBM4E.

Параллельно Micron продолжает развивать GDDR7, обещая более 40 Гбит/с на контакт, однако именно HBM4E рассматривается как ключевой элемент инфраструктуры центров обработки данных во второй половине десятилетия. Передав логическую часть специалистам TSMC, компания концентрируется на улучшении DRAM-стеков и упаковки, рассчитывая укрепить позиции на стремительно растущем рынке памяти для искусственного интеллекта.