Snapdragon 8 Elite Gen 2 в прототипе Galaxy S26 Edge оказался на 10% быстрее предшественника в Geekbench
Новый мобильный процессор Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 2 впервые засветился в базе Geekbench 6 внутри прототипа Samsung Galaxy S26 Edge с индексом SM-S947U. При урезанной частоте больших ядер смартфон набрал 3393 балла в однопоточном и 11 515 баллов в многопоточном тесте — примерно на 10% и 34% выше, чем прошлогодний Snapdragon 8 Elite, и заметно впереди результатов Exynos 2600 (2155/7788).
Бенчмарк подтверждает привычную схему 2+6: два производительных ядра разгоняются максимум до 4,74 ГГц, шесть энергоэффективных работают на 3,63 ГГц. В испытании частота крупных ядер ограничивалась 4,0 ГГц, что говорит о ранней инженерной прошивке. Устройство комплектовалось 12 ГБ ОЗУ и ранней версией Android 16 с оболочкой One UI 8.0.
Переход на 3-нм техпроцесс TSMC N3P, новая графика Adreno 840 и поддержка инструкций ArmV9/SVE2/SME обеспечили прирост не только в Geekbench. Ранее тот же чип набрал около 3,8 млн баллов в AnTuTu, опередив лучшие смартфоны на Snapdragon 8 Elite более чем на 40%. Улучшенная энергоэффективность должна снизить нагрев и троттлинг в играх и задачах с ИИ.
Официальный дебют Snapdragon 8 Elite Gen 2 намечен на Snapdragon Summit 23 сентября, а финальные версии Galaxy S26 ожидаются зимой. К моменту релиза Samsung сможет снять частотные ограничения, поэтому окончательные результаты серийных аппаратов могут оказаться ещё выше.
