Южнокорейская SK hynix объявила об окончании разработки и старте массового выпуска 321-слойных микросхем QLC NAND объёмом 2 Тбит. Это первая на рынке память QLC, преодолевшая рубеж 300 слоёв, что удваивает плотность хранения данных по сравнению с прежними решениями и открывает дорогу к терабайтным клиентским и серверным SSD нового поколения.
Переход к шести рабочим плоскостям внутри ячейки позволил существенно увеличить параллелизм. По данным производителя, пропускная способность новинки вдвое выше, скорость записи выросла до 56%, чтения — на 18%. Энергоэффективность при записи улучшена более чем на 23%, что особенно важно для центров обработки данных и систем искусственного интеллекта, где каждое ватт-час имеет значение.
Чипы выпускаются по технологии 32DP: до 32 кристаллов можно уложить в один корпус, формируя основу для SSD сверхвысокой ёмкости. Первыми 321-слойную QLC получат твердотельные накопители для настольных и мобильных ПК, после чего память появится в корпоративных SSD и в UFS-решениях для смартфонов. Массовые поставки готовых устройств ожидаются в первой половине следующего года.
Аналитики отмечают, что новая архитектура снижает себестоимость хранения и помогает SK hynix укрепить позиции на рынке флеш-памяти. Компания, основанная в 1983 году, уже лидирует в сегменте DRAM и поставляет HBM для ускорителей Nvidia; расширение линейки NAND усиливает её роль в эпоху генеративного ИИ и взрывного роста объёма данных.