Samsung ускоряет освоение 2-нм GAA и откладывает 1,4-нм, чтобы сократить отставание от TSMC
Samsung Electronics изменила дорожную карту, временно остановив разработку 1,4-нм литографии и сосредоточив все ресурсы на 2-нм процессе Gate-All-Around. По данным Chosun и отраслевых источников, цель проста — вывести несколько поколений 2-нм GAA и стать реальной альтернативой TSMC, чьи показатели выхода годных пока на 20–30% выше.
Внутри Samsung рассчитывают, что спрос на 2-нм кристаллы сохранится минимум три-четыре года. За это время компания планирует довести выход годных пластин до 70%, улучшить теплоотвод и энергетическую стабильность схем и тем самым вернуть доверие крупных заказчиков. Массовый старт производства намечен на вторую половину 2025 года: линии в Пхёнтхэке уже расширяются, обсуждаются дополнительные инвестиции и возможное строительство новых фабрик.
Параллельно завершается базовый дизайн второй ревизии 2-нм техпроцесса, а третье поколение, проходящее под кодом SF2P+, должно появиться в течение двух лет. Такая стратегия «отбора и концентрации» позволит быстрее накапливать статистику и внедрять точечные улучшения без распыления ресурсов на 1,4-нм направление.
Для Samsung вопрос конкуренции с TSMC принципиален: тайваньский контрактный гигант сегодня доминирует на самых тонких нормах и формирует отраслевые стандарты. Если корейцам удастся стабилизировать yield и подтвердить преимущества GAA-архитектуры, рынок наконец получит альтернативу единоличному лидеру, а клиенты — рычаг для переговоров по ценам и объёмам.
Корпорация делает ставку не только на техпроцесс. В 2023 году Samsung запустила 12-нм DRAM, представила интерфейс GDDR7 и фирменную ИИ-модель Gauss, сохранив позиции в телевизорах 17-й год подряд. Усиление полупроводникового бизнеса на уровне 2 нм должно дополнить этот портфель и укрепить статус компании как универсального новатора, способного конкурировать с мировыми технологическими лидерами.
